TK62J60W,S1VQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 61.8A 3Pin3+Tab TO-3PN

N-Channel 600V 61.8A Ta 400W Tc Through Hole TO-3PN

得捷:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P

贸泽:
MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-3PN

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3PN

TK62J60W,S1VQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 400 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 6500pF @300VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 19 mm

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK62J60W,S1VQ引脚图与封装图

TK62J60W,S1VQ引脚图

TK62J60W,S1VQ封装图

TK62J60W,S1VQ封装焊盘图

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TK62J60W,S1VQ	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH 600V 61.8A 3Pin3+Tab TO-3PN	搜索库存