制造商型号: | 2N6667 |
制造商: | NTE |
产品类别: | 双极性晶体管 |
商品描述: | T-PNP SI-GEN PUR AMP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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NTE 2N6667
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2N6667 中文资料
数据手册PDF
2N6667 规格参数
属性
参数值
制造商型号
2N6667
制造商
NTE
商品描述
T-PNP SI-GEN PUR AMP
包装
-
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
PNP - Darlington
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
3V @ 100mA, 10A
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
1000 @ 5A, 3V
功率 - 最大值
2W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
库存: 612
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.039794 | 18.04 |
10 | 17.114677 | 171.15 |
20 | 16.189559 | 323.79 |
50 | 15.380081 | 769.00 |
100 | 14.917523 | 1491.75 |
品牌其他型号
2N6667品牌厂家:NTE
,所属分类: 双极性晶体管
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