2N6667中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
最大电流放大倍数hFE 20000
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6667引脚图与封装图
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在线购买2N6667
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6667 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿硅功率晶体管 Darlington Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N6667
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6667 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -60V -10A 2000mW | 当前型号 | 达林顿硅功率晶体管 Darlington Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N6667G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -60V -10A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N6667G 达林顿双极晶体管 | 2N6667和2N6667G的区别 |