制造商型号: | SIHA11N80AE-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIHA11N80AE-GE3
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SIHA11N80AE-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHA11N80AE-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 391 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 2.9 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥23.600005 总价:¥23.60 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 23.600005 | 23.60 |
10 | 21.19058 | 211.91 |
25 | 19.987104 | 499.68 |
100 | 15.589595 | 1558.96 |
250 | 15.189508 | 3797.38 |
500 | 13.190797 | 6595.40 |
品牌其他型号
SIHA11N80AE-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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