制造商型号： | R6008FNX |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) R6008FNX
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R6008FNX 中文资料
数据手册PDF
R6008FNX 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 950 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
R6008FNX 引脚图与封装图
R6008FNX引脚图
R6008FNX封装图
R6008FNX封装焊盘图
库存： 777
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 42.239638 | 42.24 |
| 10 | 35.418252 | 354.18 |
| 100 | 28.653606 | 2865.36 |
| 500 | 25.469872 | 12734.94 |
品牌其他型号
R6008FNX品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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