R6008FNX
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R6008FNX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 950 mΩ
极性 N
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 580pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
R6008FNX引脚图与封装图 
R6008FNX引脚图
R6008FNX封装图
R6008FNX封装焊盘图
在线购买R6008FNX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6008FNX | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 搜索库存 |
替代型号R6008FNX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R6008FNX 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 N 600V 8A 0.73Ω | 当前型号 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP8NM60D 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-CH 600V 8A | 功能相似 | N沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET | R6008FNX和STP8NM60D的区别 |