制造商型号: | CSD18511KCS |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | NEW LF VERSION OF CSD18502KCS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD18511KCS
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CSD18511KCS 中文资料
数据手册PDF
CSD18511KCS 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 249 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD18511KCS 引脚图与封装图
CSD18511KCS引脚图
CSD18511KCS封装图
CSD18511KCS封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.651192 | 11.65 |
10 | 9.680558 | 96.81 |
100 | 7.705609 | 770.56 |
500 | 6.520208 | 3260.10 |
1000 | 5.532303 | 5532.30 |
品牌其他型号
CSD18511KCS品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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