制造商型号： | FQB55N10TM |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FQB55N10TM
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FQB55N10TM 中文资料
数据手册PDF
FQB55N10TM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 98 nC
耗散功率 3.75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 140 ns
正向跨导（Min） 38 S
上升时间 250 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | 7.857773 | 6286.22 |
| 1600 | 6.510705 | 10417.13 |
| 2400 | 6.0617 | 14548.08 |
| 5600 | 5.837225 | 32688.46 |
品牌其他型号
FQB55N10TM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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