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FQB55N10TM

FQB55N10TM

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

Features

• 55A, 100V, RDSon = 0.026Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge typical 75 nC

• Low Crss typical 130 pF

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• 175°C maximum junction temperature rating

• RoHS Compliant

FQB55N10TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 55.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.10 nF

栅电荷 75.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 55.0 mA

上升时间 250 ns

输入电容Ciss 2730pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 140 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 155W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB55N10TM引脚图与封装图
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在线购买FQB55N10TM
型号 制造商 描述 购买
FQB55N10TM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号FQB55N10TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQB55N10TM

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： D2PAK N-Channel 100V 55mA 26mohms 2.1nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： STB80NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

FQB55N10TM和STB80NF10T4的区别

型号： STB40NF10LT4

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

FQB55N10TM和STB40NF10LT4的区别

型号： STB40NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 100V 50A 24mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V

FQB55N10TM和STB40NF10T4的区别