制造商型号： | SIA427ADJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIA427ADJ-T1-GE3
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SIA427ADJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA427ADJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 50 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 82.330 mg
SIA427ADJ-T1-GE3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.56511 总价：￥6.57 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.56511 | 6.57 |
| 10 | 5.602981 | 56.03 |
| 100 | 4.18356 | 418.36 |
| 500 | 3.287082 | 1643.54 |
| 1000 | 2.540018 | 2540.02 |
品牌其他型号
SIA427ADJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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