制造商型号： | CSD25213W10 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多CSD25213W10价格库存等采购信息！ |
TI(德州仪器) CSD25213W10
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
CSD25213W10 中文资料
数据手册PDF
CSD25213W10 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 67 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 970 ns
上升时间 520 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 1 us
典型接通延迟时间 510 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.100 mg
库存： 9128
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.57216 | 5.57 |
| 10 | 4.286277 | 42.86 |
| 100 | 2.573196 | 257.32 |
| 500 | 2.382885 | 1191.44 |
| 1000 | 1.620355 | 1620.36 |
品牌其他型号
CSD25213W10品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购CSD25213W10、查询CSD25213W10代理商； CSD25213W10价格批发咨询客服；这里拥有
CSD25213W10中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
CSD25213W10替代型号
、
CSD25213W10数据手册PDF。