制造商型号： | MMBTH10-7-F |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管射频 |
商品描述： | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) MMBTH10-7-F
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MMBTH10-7-F 中文资料
数据手册PDF
MMBTH10-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 50 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 650 MHz
集电极连续电流 0.05 A
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
库存： 21583
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.364394 | 3.36 |
| 10 | 2.703976 | 27.04 |
| 25 | 2.262868 | 56.57 |
| 100 | 1.434229 | 143.42 |
| 250 | 1.107509 | 276.88 |
| 500 | 0.944024 | 472.01 |
| 1000 | 0.641852 | 641.85 |
品牌其他型号
MMBTH10-7-F品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管射频
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