制造商型号: | IXTA6N100D2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA6N100D2
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IXTA6N100D2 中文资料
数据手册PDF
IXTA6N100D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导(Min) 2.6 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 1.600 g
IXTA6N100D2 引脚图与封装图
IXTA6N100D2引脚图
IXTA6N100D2封装图
IXTA6N100D2封装焊盘图
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥93.725408 总价:¥93.73 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 93.725408 | 93.73 |
10 | 84.676457 | 846.76 |
100 | 70.107992 | 7010.80 |
500 | 61.049102 | 30524.55 |
1000 | 53.171776 | 53171.78 |
2000 | 51.202502 | 102405.00 |
品牌其他型号
IXTA6N100D2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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