IXTA6N100D2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA6N100D2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 2650pF @25VVds
下降时间 47 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA6N100D2引脚图与封装图 
IXTA6N100D2引脚图
IXTA6N100D2封装图
IXTA6N100D2封装焊盘图
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| IXTA6N100D2 | IXYS Semiconductor | TO-263AA N-CH 1000V | 搜索库存 |