制造商型号: | IXTH1N200P3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH1N200P3
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IXTH1N200P3 中文资料
数据手册PDF
IXTH1N200P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 2 kV
漏极电流 1 A
漏源电阻 40 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23.5 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 80 ns
正向跨导(Min) 400 mS
上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 1235
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 104.170784 | 104.17 |
10 | 94.085159 | 940.85 |
100 | 77.891336 | 7789.13 |
500 | 67.826782 | 33913.39 |
1000 | 59.074897 | 59074.90 |
2000 | 56.886956 | 113773.91 |
品牌其他型号
IXTH1N200P3品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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