制造商型号: | CSD17313Q2 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 5A 6SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD17313Q2
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CSD17313Q2 中文资料
数据手册PDF
CSD17313Q2 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.3 ns
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
规格参数
开发套件 TMDSCSK388, TMDSCSK8127
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.700 mg
库存: 3768
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.856538 | 5.86 |
10 | 5.034131 | 50.34 |
100 | 3.501462 | 350.15 |
500 | 2.734132 | 1367.07 |
1000 | 2.22237 | 2222.37 |
品牌其他型号
CSD17313Q2品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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