制造商型号： | CSD22206W |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 8V P-CHANNEL FEMTOFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD22206W
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CSD22206W 中文资料
数据手册PDF
CSD22206W 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.05 V
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 118 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.205805 | 6617.41 |
品牌其他型号
CSD22206W品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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