制造商型号： | CSD13303W1015 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD13303W1015
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CSD13303W1015 中文资料
数据手册PDF
CSD13303W1015 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 1.65 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.7 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
CSD13303W1015 同类别型号
库存： 4709
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 70 | 2.380478 | 166.63 |
| 100 | 1.983732 | 198.37 |
品牌其他型号
CSD13303W1015品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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