制造商型号： | BVSS84LT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) BVSS84LT1G
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BVSS84LT1G 中文资料
数据手册PDF
BVSS84LT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 118170
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.610466 | 4.61 |
| 10 | 3.314552 | 33.15 |
| 100 | 1.670983 | 167.10 |
| 500 | 1.48133 | 740.66 |
| 1000 | 1.152866 | 1152.87 |
品牌其他型号
BVSS84LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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