制造商型号： | IXFT16N120P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFT16N120P
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IXFT16N120P 中文资料
数据手册PDF
IXFT16N120P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 16 A
漏源电阻 950 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 660 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 5.1 mm
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 4.500 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 145.35297 | 145.35 |
| 10 | 134.083431 | 1340.83 |
| 100 | 114.497587 | 11449.76 |
| 500 | 103.9516 | 51975.80 |
品牌其他型号
IXFT16N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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