制造商型号: | CSD13381F4 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD13381F4
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CSD13381F4 中文资料
数据手册PDF
CSD13381F4 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.06 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.8 ns
上升时间 1.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel FemtoFET MOSFET
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
库存: 496825
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.397935 | 5.40 |
10 | 4.023917 | 40.24 |
100 | 2.275721 | 227.57 |
500 | 1.507006 | 753.50 |
1000 | 1.155404 | 1155.40 |
品牌其他型号
CSD13381F4品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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