制造商型号: | TPWR6003PL,L1Q |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) TPWR6003PL,L1Q
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TPWR6003PL,L1Q 中文资料
数据手册PDF
TPWR6003PL,L1Q 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 840 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 104 mg
库存: 34970
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 32.743463 | 32.74 |
10 | 29.407337 | 294.07 |
25 | 27.801053 | 695.03 |
100 | 22.240843 | 2224.08 |
250 | 21.00524 | 5251.31 |
500 | 19.769638 | 9884.82 |
1000 | 16.927752 | 16927.75 |
2500 | 16.680632 | 41701.58 |
品牌其他型号
TPWR6003PL,L1Q品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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