制造商型号： | 2N7002E-7-F |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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DIODES(美台) 2N7002E-7-F
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2N7002E-7-F 中文资料
数据手册PDF
2N7002E-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 223 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.337422 | 1012.27 |
| 6000 | 0.313017 | 1878.10 |
| 9000 | 0.259599 | 2336.39 |
| 30000 | 0.254992 | 7649.76 |
| 75000 | 0.229003 | 17175.23 |
品牌其他型号
2N7002E-7-F品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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