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DIODES(美台) DMN2600UFB-7

DIODES(美台) DMN2600UFB-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMN2600UFB-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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DMN2600UFB-7 中文资料

数据手册PDF

DMN2600UFB-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 1.3 A

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 450 mV

栅极电荷 850 pC

耗散功率 540 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

库存: 24294

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥4.485859 总价:¥4.49
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 4.485859 4.49
10 3.10272 31.03
100 1.511486 151.15
500 1.261026 630.51
1000 0.876114 876.11
品牌其他型号
DMN2600UFB-7品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMN2600UFB-7、查询DMN2600UFB-7代理商; DMN2600UFB-7价格批发咨询客服;这里拥有 DMN2600UFB-7中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 DMN2600UFB-7替代型号DMN2600UFB-7数据手册PDF