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DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

单 N-沟道 25 V 600 mOhm 0.85 nC 0.54 W 硅 表面贴装 Mosfet - UFDFN-3

表面贴装型 N 通道 1.3A(Ta) 540mW(Ta) 3-X1DFN1006


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N沟道 25V 1.3A


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DMN2600UFB-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 600 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 0.54 W

输入电容 70.13 pF

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 1.3A

上升时间 11.5 ns

输入电容Ciss 70.13pF @15VVds

额定功率Max 540 mW

下降时间 20.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

长度 1.075 mm

高度 0.47 mm

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN2600UFB-7引脚图与封装图
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DMN2600UFB-7 Diodes 美台 单 N-沟道 25 V 600 mOhm 0.85 nC 0.54 W 硅 表面贴装 Mosfet - UFDFN-3 搜索库存