制造商型号: | NST65011MW6T1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 双极晶体管预偏置 |
商品描述: | TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NST65011MW6T1G
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NST65011MW6T1G 中文资料
数据手册PDF
NST65011MW6T1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 65 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
NST65011MW6T1G 同类别型号
库存: 11071
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.594172 | 4.59 |
10 | 3.613254 | 36.13 |
100 | 2.16671 | 216.67 |
500 | 2.006536 | 1003.27 |
1000 | 1.36447 | 1364.47 |