制造商型号： | NST65011MW6T1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 双极晶体管预偏置 |
商品描述： | TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NST65011MW6T1G
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NST65011MW6T1G 中文资料
数据手册PDF
NST65011MW6T1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 65 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
库存： 8996
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.813481 | 5.81 |
| 10 | 3.901152 | 39.01 |
| 100 | 2.635955 | 263.60 |
| 500 | 2.043898 | 1021.95 |
| 1000 | 1.846852 | 1846.85 |
