制造商型号： | RQ6E055BNTCR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) RQ6E055BNTCR
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RQ6E055BNTCR 中文资料
数据手册PDF
RQ6E055BNTCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 3.4 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E055BN
单位重量 28.694 mg
库存： 1978
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.784294 | 7.78 |
| 10 | 6.622829 | 66.23 |
| 25 | 6.182954 | 154.57 |
| 100 | 4.59397 | 459.40 |
| 250 | 4.364148 | 1091.04 |
| 500 | 3.586954 | 1793.48 |
| 1000 | 2.915404 | 2915.40 |
品牌其他型号
RQ6E055BNTCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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