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RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V

表面贴装型 N 通道 30 V 5.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.019 ohm, TSMT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSMT T/R


安富利:
N-Channel Power MOSFET 30V Drain-Source Voltage ±5.5A Continuous Drain Current 1.25W Power Dissipation Low-On Resistance 6-Pin SOT-457 Emboss T/R


RQ6E055BNTCR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 355pF @15VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

RQ6E055BNTCR引脚图与封装图
RQ6E055BNTCR引脚图

RQ6E055BNTCR引脚图

RQ6E055BNTCR封装图

RQ6E055BNTCR封装图

RQ6E055BNTCR封装焊盘图

RQ6E055BNTCR封装焊盘图

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RQ6E055BNTCR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存