RQ6E055BNTCR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 6
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 355pF @15VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RQ6E055BNTCR引脚图
RQ6E055BNTCR封装图
RQ6E055BNTCR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RQ6E055BNTCR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |