制造商型号： | SCT3105KRC14 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) SCT3105KRC14
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SCT3105KRC14 中文资料
数据手册PDF
SCT3105KRC14 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 24 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 4 V, + 22 V
栅源极阈值电压 5.6 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 134 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 3.4 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 153.592784 | 153.59 |
| 10 | 135.305483 | 1353.05 |
| 100 | 117.023317 | 11702.33 |
| 500 | 106.052258 | 53026.13 |
品牌其他型号
SCT3105KRC14品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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