制造商型号: | DMT6010LSS-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMT6010LSS-13
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DMT6010LSS-13 中文资料
数据手册PDF
DMT6010LSS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMT6010LSS-13 同类别型号
库存: 7723
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 16.448149 | 16.45 |
10 | 13.420194 | 134.20 |
100 | 10.434606 | 1043.46 |
500 | 8.84437 | 4422.18 |
1000 | 7.20454 | 7204.54 |
品牌其他型号
DMT6010LSS-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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