TK62N60X,S1F

Toshiba(东芝) 分立器件

N-CH 600V 61.8A

N-Channel 600V 61.8A Ta 400W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 61.8A 3-Pin TO-247

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TK62N60X,S1F中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 400 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 61.8A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 6500pF @300VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK62N60X,S1F引脚图与封装图

TK62N60X,S1F引脚图

TK62N60X,S1F封装图

TK62N60X,S1F封装焊盘图

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