制造商型号： | SI7858ADP-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI7858ADP-T1-E3
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SI7858ADP-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI7858ADP-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 80 nC
耗散功率 5.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7858ADP-T1
单位重量 506.600 mg
SI7858ADP-T1-E3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 19 | 5.223275 | 99.24 |
| 20 | 5.022428 | 100.45 |
| 50 | 4.821497 | 241.07 |
| 100 | 4.620567 | 462.06 |
| 300 | 4.419637 | 1325.89 |
品牌其他型号
SI7858ADP-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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