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SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY SI7858ADP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 29A, 12V, 2.6mohm, 4.5V, 600mV

* Halogen-free available * TrenchFET® Power MOSFET * New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile * 100 % Rg Tested


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
N-CHANNEL 12-V D-S MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 12 V 0.0026 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7858ADP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 12 V, 0.0026 ohm, 4.5 V, 600 mV


SI7858ADP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 600 mV

输入电容 5700pF @6V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 29.0 A

上升时间 40 ns

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7858ADP-T1-E3引脚图与封装图
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SI7858ADP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY SI7858ADP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 29A, 12V, 2.6mohm, 4.5V, 600mV 搜索库存