制造商型号： | NTD5865NLT4G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 46A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTD5865NLT4G
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NTD5865NLT4G 中文资料
数据手册PDF
NTD5865NLT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 46 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.4 ns
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 12.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
NTD5865NLT4G 引脚图与封装图
NTD5865NLT4G引脚图
NTD5865NLT4G封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 4.181752 | 10454.38 |
品牌其他型号
NTD5865NLT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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