制造商型号: | MUN5114DW1T1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-双极 |
商品描述: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) MUN5114DW1T1G
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MUN5114DW1T1G 中文资料
数据手册PDF
MUN5114DW1T1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 0.21
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 250 mW
直流电流增益(Max) 80 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 6.200 mg
库存: 18000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.767867 | 3.77 |
10 | 3.050756 | 30.51 |
100 | 1.615321 | 161.53 |
500 | 1.062782 | 531.39 |
1000 | 0.722824 | 722.82 |
品牌其他型号
MUN5114DW1T1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-双极
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