制造商型号： | DMN3730UFB4-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN3730UFB4-7
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DMN3730UFB4-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3730UFB4-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 730 mA
漏源电阻 460 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 690 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 40 mS
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.682043 总价：￥5.68 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.682043 | 5.68 |
| 10 | 4.888925 | 48.89 |
| 100 | 3.654264 | 365.43 |
| 500 | 2.871326 | 1435.66 |
| 1000 | 2.218602 | 2218.60 |
品牌其他型号
DMN3730UFB4-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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