DMN3730UFB4-7、PMZB370UNE、DMN3730UFB-7对比区别

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型号 DMN3730UFB4-7 PMZB370UNE DMN3730UFB-7

描述 单 N-沟道 30 V 730 mOhm 1.6 nC 0.69 W 硅 表面贴装 Mosfet - XFDFN-3NXP  PMZB370UNE  晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 770 mV30V,750mA,N沟道增强型MOSFET

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 DFN-3 SOT-883 DFN-3

漏源极电阻 0.46 Ω 0.37 Ω 0.46 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 0.69 W 360 mW 470 mW

阈值电压 450 mV 770 mV 450 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 0.91A 0.9A 0.91A

上升时间 2.8 ns - 2.8 ns

输入电容(Ciss) 64.3pF @25V(Vds) - 64.3pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 470 mW - 470 mW

下降时间 13 ns - 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 690 mW - 470mW (Ta)

针脚数 - 3 -

封装 DFN-3 SOT-883 DFN-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17