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DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

单 N-沟道 30 V 730 mOhm 1.6 nC 0.69 W 硅 表面贴装 Mosfet - XFDFN-3

N-Channel 30V 750mA Ta 470mW Ta Surface Mount X2-DFN1006-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN


立创商城:
N沟道 30V 750mA


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMN3730UFB4-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 690 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.91A 3-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN


DMN3730UFB4-7中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.46 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.69 W

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.91A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 64.3pF @25VVds

额定功率Max 470 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 690 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

DMN3730UFB4-7引脚图与封装图
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DMN3730UFB4-7 Diodes 美台 单 N-沟道 30 V 730 mOhm 1.6 nC 0.69 W 硅 表面贴装 Mosfet - XFDFN-3 搜索库存