制造商型号： | MMBTH10M3T5G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管射频 |
商品描述： | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) MMBTH10M3T5G
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MMBTH10M3T5G 中文资料
数据手册PDF
MMBTH10M3T5G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 640 mW
增益带宽产品 650 MHz
直流集电极 60 at 4 mA, 10 V
直流电流增益（Max） 60 at 4 mA, 10 V
技术 Si
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.275 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 8000 | 0.299432 | 2395.46 |
| 16000 | 0.254497 | 4071.95 |
| 24000 | 0.239557 | 5749.37 |
| 56000 | 0.224559 | 12575.30 |
| 200000 | 0.194622 | 38924.40 |
品牌其他型号
MMBTH10M3T5G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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