制造商型号: | MT3S111TU,LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管射频 |
商品描述: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) MT3S111TU,LF
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MT3S111TU,LF 中文资料
数据手册PDF
MT3S111TU,LF 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT3S111TU,LF
制造商
Toshiba(东芝)
商品描述
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
6V
频率 - 跃迁
10GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益
12.5dB
功率 - 最大值
800mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
200 @ 30mA, 5V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
3-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
UFM
库存: 5225
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |