制造商型号： | MT3S111TU,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管射频 |
商品描述： | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多MT3S111TU,LF价格库存等采购信息！ |
Toshiba(东芝) MT3S111TU,LF
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
MT3S111TU,LF 中文资料
数据手册PDF
MT3S111TU,LF 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT3S111TU,LF
制造商
Toshiba(东芝)
商品描述
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
6V
频率 - 跃迁
10GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益
12.5dB
功率 - 最大值
800mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 30mA, 5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
3-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
UFM
库存： 5225
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.166494 | 7.17 |
| 10 | 6.363352 | 63.63 |
| 25 | 5.74308 | 143.58 |
| 100 | 5.025194 | 502.52 |
| 250 | 4.410113 | 1102.53 |
| 500 | 3.89709 | 1948.55 |
| 1000 | 3.07665 | 3076.65 |
