制造商型号： | HN1C03F-B(TE85L,F) |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 双极晶体管预偏置 |
商品描述： | TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) HN1C03F-B(TE85L,F)
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HN1C03F-B(TE85L,F) 中文资料
数据手册PDF
HN1C03F-B(TE85L,F) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 25 V
饱和电压 42 mV
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 30 MHz
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 1200
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 15 mg
