制造商型号: |  MMBTH10LT1G | 
制造商: |  ON (安森美) | 
产品类别: |  晶体管射频 | 
商品描述: |  RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 | 
供货: |  货期 工作日(7-10天) | 
渠道: |    digikey     | 
服务: |  锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 | 
客服: |  |
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ON(安森美) MMBTH10LT1G
 
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MMBTH10LT1G 中文资料
数据手册PDF
 MMBTH10LT1G 规格参数
关键信息
 制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
 晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 650 MHz
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
 高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
 产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
库存: 95288
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 | 
|---|---|---|
| 1 | 4.130631 | 4.13 | 
| 10 | 2.371289 | 23.71 | 
| 25 | 1.933748 | 48.34 | 
| 100 | 1.428893 | 142.89 | 
| 250 | 1.17983 | 294.96 | 
| 500 | 1.026845 | 513.42 | 
| 1000 | 0.898643 | 898.64 | 
品牌其他型号
    MMBTH10LT1G品牌厂家:ON
     ,所属分类: 晶体管射频
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