制造商型号: | ZXTN25100DGQTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 双极性晶体管 |
商品描述: | IC PWR TRANSISTOR SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXTN25100DGQTA
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ZXTN25100DGQTA 中文资料
数据手册PDF
ZXTN25100DGQTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 3 A
耗散功率 1.2 W
增益带宽产品 175 MHz
直流集电极 300 at 10 mA, 2 V
直流电流增益(Max) 900 at 10 mA, 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.833528 | 2.83 |
10 | 2.108478 | 21.08 |
30 | 1.975136 | 59.25 |
100 | 1.841793 | 184.18 |
500 | 1.783456 | 891.73 |
品牌其他型号
ZXTN25100DGQTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 双极性晶体管
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