制造商型号： | ZTX658QSTZ |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 双极性晶体管 |
商品描述： | PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) ZTX658QSTZ
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ZTX658QSTZ 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 400 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.5 V
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 1 W
增益带宽产品 50 MHz
集电极连续电流 500 mA
直流集电极 40
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | 2.778609 | 5557.22 |
| 6000 | 2.646307 | 15877.84 |
| 10000 | 2.524156 | 25241.56 |
