制造商型号: | 2DB1132R-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 双极性晶体管 |
商品描述: | TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) 2DB1132R-13
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2DB1132R-13 中文资料
数据手册PDF
2DB1132R-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 32 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 125 mV
最大直流电集电极电流 - 1 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 190 MHz
直流集电极 180 at - 100 mA, - 3 V
技术 Si
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.48 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 52 mg
库存: 2695
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.800418 | 5.80 |
10 | 4.723198 | 47.23 |
100 | 3.212722 | 321.27 |
500 | 2.409187 | 1204.59 |
1000 | 1.80689 | 1806.89 |