制造商型号： | TP65H035G4WS |
制造商： | Transphorm |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Transphorm TP65H035G4WS
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TP65H035G4WS 中文资料
数据手册PDF
TP65H035G4WS 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标名 SuperGaN
商标 Transphorm
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 46.5 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 60 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 660
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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TP65H035G4WS品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 未分类
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