制造商型号： | TP65H150G4LSG |
制造商： | Transphorm |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GAN FET N-CH 650V PQFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Transphorm TP65H150G4LSG
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TP65H150G4LSG 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 5.2 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 37.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥29.156323 总价：￥87468.97 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 29.156323 | 87468.97 |
品牌其他型号
TP65H150G4LSG品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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