制造商型号： | TP65H050G4WS |
制造商： | Transphorm |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET GAN FET 650V 34A TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Transphorm TP65H050G4WS
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TP65H050G4WS 中文资料
数据手册PDF
TP65H050G4WS 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.9 ns
上升时间 11.3 ns
典型关闭延迟时间 88.3 ns
典型接通延迟时间 49.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
品牌其他型号
TP65H050G4WS品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 未分类
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