制造商型号: | TP65H070LDG-TR |
制造商: | Transphorm |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | 650 V 25 A GAN FET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Transphorm TP65H070LDG-TR
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TP65H070LDG-TR 中文资料
数据手册PDF
TP65H070LDG-TR 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
栅源极击穿电压 - 20 V, + 20 V
漏极电流 25 A
耗散功率 96 W
湿度敏感性 Yes
漏源电阻 148 mOhms
栅源极阈值电压 4 V
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
库存: 426
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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TP65H070LDG-TR品牌厂家:Transphorm
,所属分类: 未分类
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